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本发明公开了一种基于PEN衬底的柔性氧化镓紫外探测器的制备方法及探测器。制备方法包括如下步骤：(1)PEN衬底的裁剪和清洗；(2)利用磁控溅射工艺在所述PEN衬底上溅射氧化镓薄膜；(3)利用磁控溅射工艺在所述氧化镓薄膜上沉积制备ITO电极，形成紫外探测器；所述ITO电极沉积过程中使用掩膜板，溅射靶材为ITO，靶基距为80mm，具体的溅射参数如下：打靶时，氩气气流量为30sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，溅射时间为10min；正式生长时，氩气气流量为53sccm，溅射气压为8mT
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799101 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310750715.8 H01L 21/02 (2006.01)
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