SONOS存储器的形成方法.pdfVIP

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2023-09-23 发布于四川
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SONOS存储器的形成方法.pdf

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本发明提供了一种SONOS存储器的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括器件区和位于器件区外围的逻辑区；通过炉管工艺在器件区和逻辑区的衬底上均形成ONO膜层；刻蚀逻辑区的ONO膜层，露出逻辑区的衬底的表面；在逻辑区的衬底的表面形成高压栅氧化层；如果ONO层或高压栅氧化层上有杂质颗粒，则形成一层抗反射涂层覆盖剩余的ONO膜层和高压栅氧化层的表面；采用各项同性干法刻蚀方法刻蚀并去除杂质颗粒，抗反射涂层保护剩余的ONO膜层和高压栅氧化层；去除抗反射涂层；在剩余的ONO层和高压栅氧化层上均形成栅多晶硅结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116801636 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310944625.2 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地