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一种器件包括从衬底延伸的鳍、在鳍的侧壁上方并沿着鳍的侧壁的栅极堆叠件，沿着栅极堆叠件的侧壁的栅极间隔件、以及在鳍中并且与栅极间隔件相邻的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括在鳍上的第一外延层，第一外延层包括硅、锗和砷，以及在第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括硅和磷，第一外延层将第二外延层与鳍隔开。外延源极/漏极区还包括在第二外延层上的第三外延层，第三外延层包括硅、锗和磷。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110957221 A
(43)申请公布日
2020.04.03
(21)申请号 20191
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