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本发明涉及一种含有噻吩吡啶二酮结构的有机半导体材料及其制备和应用，本发明提供的含有噻吩吡啶二酮结构的有机半导体材料，光学带隙可调，具有较高的载流子迁移率；本发明提供的含有噻吩吡啶二酮结构的有机半导体材料具有多种烷基支链，使材料具有良好的溶解性，在器件制备中溶液可以以滴涂或者旋涂的方式在基质上形成薄膜，有利于优化薄膜的形貌，提高器件的性能；本发明提供的含有噻吩吡啶二酮结构的有机半导体材料具有良好的热稳定性，光电转化能力、载流子迁移率等，可作为有机光电二极管、有机场效应晶体管以及电化学晶体管等光电器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116789940 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310604231.2 H10K 10/46 (2023.01)
(22)申请日 2023.05.
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