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本发明涉及半导体领域，具体公开了一种半导体器件、半导体设备及其制造方法。一种半导体设备包括具有单个衬底的多个半导体器件和多个沟槽区域，每个沟槽区域包括沟槽，其中单个衬底包括衬底层、设置在衬底层上的第一导电类型的第一外延层，以及设置在第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，其中多个沟槽区域的每个沟槽穿过第二外延层延伸到第一外延层中，从而隔离多个半导体器件中的相邻半导体器件。通过上述实施方式，本发明能够减少寄生电感，同时避免了背栅问题和提供了雪崩耐受能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111213241 A
(43)申请公布日
2020.05.29
(21)申请号 20198
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