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一种包括半导体存储器的电子设备，其中半导体存储器包括写入电路以及存储单元阵列，该写入电路适用于：基于写入命令信号、写入数据信号和延时信息信号，在与比写入延时短的预写入延时相对应的第一时间点产生第一写入电流，并且在与写入延时相对应的第二时间点产生第二写入电流，该存储单元阵列适用于：基于第一写入电流和第二写入电流来储存与写入数据信号相对应的数据值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110858499 A
(43)申请公布日
2020.03.03
(21)申请号 20191
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