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本发明公开了一种外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置。所述外延结构包括沿指定方向依次设置的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；所述缓冲层包括沿指定方向依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层、第二缓冲层和N型层均具有孔洞结构，并且第二缓冲层的孔洞密度小于第一缓冲层的孔洞密度。本发明中的双层结构的缓冲层能够提高上层结构的晶体质量，并且双层结构的缓冲层中均具有孔洞结构，一方面孔洞结构可以缓解在制备深紫外半导体发光器件的层结构之间的应力，另一方面也能够实现对深紫外光的散射，提高了光提取效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799117 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310867965.X A61L 2/10 (2006.01)
(22)申请日 2023.07.1
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