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本发明公开了一种三维扇出型封装结构的制造方法及其产品,该制造方法包括以下步骤:在倒装芯片完成倒装和塑封后,采用激光开孔等方式形成通孔,再在通孔内塞填导电材料,再进行三维堆叠等,最后植球。本发明提供的三维扇出型封装结构的制造方法中,采用激光开孔工艺,省去黄光和蚀刻;无需高腔PVD生长种子层,不存在金属覆盖率的问题;无需电镀工艺,节省成本;打孔点胶方式可以应对高深宽比;无需通过研磨来实现铜柱露头,不存在铜污染问题;通用于先重布线(RDLfirst)和先芯片(Chipfirst)两种技术路线。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798949 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310773069.7
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 华天科技(昆山)电子有限公司
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