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本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法,属于半导体器件领域,包括:半导体衬底;第一半导体层;第二半导体层;栅沟槽;伪深沟槽;绝缘层;栅极;第一包裹半导体区域;第二包裹半导体区域;由碳化硅制成的第一半导体区域,具有第一导电类型并在第二半导体层上的栅沟槽周围形成;由碳化硅制成的第二半导体区域,具有与第一导电类型相反的第二导电类型,并在第二半导体层上的伪深沟槽周围形成;其中,第二半导体层包括一个长沟槽的区域,其中,第二半导体层与沟槽接触并且沿垂直于沟槽深度方向的方向延伸。本发明的半导体器件有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799034 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310618560.2
(22)申请日 2023.05.30
(71)申请人 山东大学
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