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本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，本征层包括位错过滤层，位错过滤层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的超晶格结构，第一子层采用氮化铝硼作为生长材料，第二子层采用氮化铝作为生长材料；本发明通过在衬底与电子注入层之间的本征层内部设置位错过滤层，且位错过滤层为氮化铝硼与氮化铝交替形成的超晶格结构，该超晶格结构与衬底之间形成镜像力效应，从而使本征层与衬底的接触面产生的位错由于镜
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799114 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310650737.7 C30B 31/22 (2006.01)
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