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本发明涉及一种纳米线阵列、生长方法及热电器件，生长方法包括以下步骤：获得SnTe模板和SnTe粉末，以SnTe模板为生长衬底，在SnTe模板上涂覆金颗粒；将SnTe粉末置于高温区，SnTe模板置于低温区，SnTe粉末在高温区加热升华为气态，气态的SnTe流动至低温区的SnTe模板时冷却并在金颗粒的诱导下生长为SnTe纳米线，SnTe纳米线为沿100方向生长的纳米线。该生长方法利用能量最低的选择性生长机制获得定向且有序的SnTe纳米线阵列，获得的纳米线热导率可低至5.6Wm‑1K‑1。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116804269 A
(43)申请公布日 2023.09.26
(21)申请号 202310523858.5
(22)申请日 2023.05.10
(71)申请人 南京
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