单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板.pdfVIP

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2023-09-27 发布于四川
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单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板.pdf

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本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111386593 A (43)申请公布日 2020.07.07 (21)申请号 20188