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本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底的抛光方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行超声碱洗；对半导体衬底进行抛光处理，以降低半导体衬底的两侧表面的线痕度；抛光处理采用抛光处理液，抛光处理液包括碱液、抛光辅助剂以及去离子水。本发明提供的半导体衬底的抛光方法能够提高半导体衬底表面线痕的平整性，且在对所述半导体衬底进行抛光处理之前，无需额外的腐蚀处理去除损伤层，工艺成本低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825611 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310901082.6
(22)申请日 2023.07.20
(71)申请人 安徽华晟新材料有限公司
地址 2
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