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本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100‑x:x，其中，x＝0～10；半导体薄膜层的厚度为1～50nm，金属源漏电极的厚度为10～50nm。采用本发明全溶液法制备薄膜晶体管的制备工艺简单，设备要求简单，操作条件温和、且价格低廉，从而能够更有效更简单更高效率的实现产业化生产。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113540254 A
(43)申请公布日 2021.10.22
(21)申请号 202110639473.6
(22)申请日 2021.06.08
(71)申请人 华南师范大学
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