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本申请提供一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路，包括：半导体衬底、源极、漏极以及栅极；半导体衬底具有源区、漏区及位于源区与漏区之间的沟道区，源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上；沟道区包括第一掺杂区及沟道，第一掺杂区在源区一侧，沟道在漏区一侧；源区包括第二掺杂区及导体区，导体区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间；漏区包括第三掺杂区；第一与第三掺杂区属同一掺杂类型，第二与第三掺杂区属不同的掺杂类型。本申请的冷源晶体管其栅极设置在沟道区上，当冷载流子越过肖特基势垒，从第一掺杂区进入沟道时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825805 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202210286284.X
(22)申请日 2022.03.22
(71)申请人 华为技术有限公司
地址 5181
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