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通过如下获得具有p型接触层(180)的、具有II‑VI型半导体吸收剂材料(160)的光伏装置(100)：在基材堆叠(113)上形成II‑VI吸收剂层，其中II型材料包括镉(Cd)并且VI型材料包括碲(Te)；使包含氢氧化物的碱性洗涤流体与所述吸收剂层的第二表面接触以产生富Cd表面，在所述吸收剂层(160)上沉积p型接触层(180)，由此所述p型接触层与富Cd层直接相邻，并且其中所述p型接触层包含以下中的至少一种：PTAA、P3HT、聚‑TPD、TFB、TTF‑1、TF8‑TAA、TIF8‑TAA
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116830279 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202180092775.4 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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