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公开了一种三维半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上，并包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区，堆叠在第一有源区上，并包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；第一有源接触部，电连接到下源/漏图案；上分离结构，在第一有源接触部与上源/漏图案之间；第二有源接触部，电连接到上源/漏图案；下分离结构，在第二有源接触部与下源/漏图案之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825783 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202211532512.3
(22)申请日 2022.11.29
(30)优先权数据
10-2022-0038366
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