一种SiC MOSFET器件.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种SiC MOSFET器件.pdf

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本实用新型揭示了一种SiCMOSFET器件,包括：SiC衬底、SiC衬底下方漏极、SiCN‑外延片、N‑外延片上方的两个P阱结构、设置于P阱上的相互紧邻的N+接触和P+接触、两个P阱之间的区域为JEFT区、JFET上方为与碳化硅衬底相同大小的P‑掺杂的外延层和对P‑外延层进行反型的N型区域、设置于和区域上方的SiO2氧化层、SiO2氧化层上方的栅极、N+区域和P+区域上方的源级。该SiCMOSFET器件结构在以往结构的基础上能够提升器件正向导通电流的能力，并能提升器件栅氧的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210575962 U (45)授权公告日 2020.05.19 (21)申