单晶炉分析和总结.docx

单晶炉 主要内容：1、掌握单晶炉的长晶原理 2、单晶炉的结构 3、单晶炉操作流程 4、单晶炉常见异常处理方法 5、单晶检测 1、单晶炉的长晶原理 将预先合成好的多晶原料装在坩埚中，并被加热到原料的熔点以上，此时， 坩埚内的原料就熔化为熔体，在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端带有一个夹头，其上装有籽晶。降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后慢慢地向上提拉和转动晶杆。同时，缓慢地降低加热功率，籽晶就逐渐长粗，小心地调节加热功率，就能得到所需直径的晶体。整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里，以便使生长环境中有所需要的气氛和压强。通过外罩的窗口，可以观察到生长的情况。 2、单晶炉的结构 炉子本体包括机架、坩埚驱动装置、主炉室、翻板阀、副炉室、籽晶提升机构、液压驱动装置、真空系统、冲氩气系统及水冷系统。机架由底座、上立柱和下立柱组成，是炉子的支撑装置。坩埚驱动装置安装在底座内的平台上，主炉室 （由炉底板、炉底、炉筒和炉盖组成）安装在底座的上平面上，上面与翻板阀密封联结，副室放在翻板阀上，提拉头安装在副室上，坩埚驱动装置与炉室通过波纹管密封联结，液压系统中提升油缸安装在下立柱上。液压泵放在主机附近的适当位置，真空系统、水冷系统固定在机架上，主炉室是炉子的心脏部位，热场系统安装在内。另外还有电气部分，控制柜、加热系统等。 3、单晶炉操作流程 操作流程主要有：装料、化料、安定、种晶、引晶、放肩、转肩、等径和收 尾。操作需要做到：颈细、肩平、径等、尾尖才能拉出很好的晶棒。装料 首先清洗好炉体，将清理干净的石墨三瓣锅装入单晶炉，调整石墨器件位置， 使加热器、保温碳毡、石墨托碗保持同心，调节石墨托碗，使它与加热器上缘水平。在三瓣锅中放入新的石英坩埚。 其次由装料员将称好的多晶料和掺杂剂装入坩埚内。装料时应注意一下两点： 装料时，不能使石英坩埚底部有过大的空隙，防止塌料时，上部未熔的多晶硅跌入硅液中，造成熔硅外渐。 硅晶硅不能碰到石英坩埚的上边沿，防止多晶硅粘着在上边沿。 装料完成，检查仪器。一切工作准确无误后，关好炉门，开动机械泵和低真空阀门抽真空，炉内真空达 5×10-1 乇时，打开冷却水，开启扩散泵，打开高真空阀。炉内真空升到1×10-3 乇时，即可加热熔硅。在流动气氛下和减压下熔硅， 单晶炉内真空达到 10-1 乇时关闭真空泵，通入高纯氩气 10 分钟，或者一边通入高纯氩气，一边抽空 10 分钟，即可加热熔硅。 化料 打开功率进行加热，使炉体上升到 1500℃左右。熔硅时，应注意炉内真空度的变化，一般说来，在流动气氛下或在减压下熔硅比较稳定。熔硅温度升到1000℃时应转动坩埚，使坩埚各部受热均匀。 安定 当多晶硅会全部熔完后，将坩埚升到引晶位置，同时关闭扩散泵和高真空阀门，只开机械泵保持低真空。以一定流量通入高纯氩气，调整排气阀门，使炉膛 保持一定的正压强。使熔液温度、流动和表面气压达到稳定。种晶 当多晶硅料完全熔化并安定后，将籽晶下降到距离熔硅 3-5mm 处烘烤两三分钟，使籽晶温度接近熔硅温度，减少对籽晶的热冲击，再下降与熔硅接触。 通过观察坩埚边液面的起伏情况，可以判断熔体温度的高低。若籽晶周围不能形成一个稳定的光圈，则此温度不适合引晶。合适的引晶温度是籽晶和熔硅接触后，籽晶周围逐渐出现稳定的光圈，最后光圈变圆。光圈内可以看到四个分散在四周并对称的小白点。 温度合适后，提拉籽晶，开始缓慢提拉。引晶（缩颈） 种晶完后，籽晶应快速向上提升，使晶体的生长速度加快，新结晶的单晶直径比籽晶的小。籽晶直径一般为 5mm，引晶后的为 3mm 左右。同时缩颈后长度应为其直径的 6--10 倍。由于拉出的单晶很重，缩颈时单晶的直径不能太细，否则引晶部分容易提断。 缩颈是为了排除引出单晶中的位错。下种时，由于籽晶和熔硅温差大，高温的熔硅对籽晶造成强烈的热冲击，籽晶头部产生大量位错，通过缩颈，使晶体在 生长中将位错“缩掉”，成为无位错单晶。放肩 细颈达到规定长度后，如果晶棱不断，立刻降温，降拉速，使细颈逐渐长大到规定的直径，此过程称为放肩。 此时晶体硅的生长速度大大放慢，晶体硅的直径急速增大，从籽晶直径增大 到所需的长度（208mm 左右），形成一个近 180°的夹角。 转肩 当放肩达到所需晶体直径时，突然提高拉晶速度进行转肩，使肩近似直角， 进入等直径生长。 等径 等径生长是整个拉晶时间最长的，对于操作来说却比较轻松。当放肩后，晶体生长加快，并保持稳定的速度生长，使晶体保持稳定的直径生长。在等径期间要注意观察外形上的四条棱线是否出现断线。若出现断线，则根据已拉出的晶棒长度确定是回熔重新引晶，还是直接拉断再拉下一根。一般规定长度大于700mm 则可以不必回熔。 一般说来，单晶等直径生长过程是缓慢降温过程，在单