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本发明题为“具有应力竖直半导体沟道的三维存储器器件及其制备方法”。本发明公开了三维存储器器件，其包括在竖直半导体沟道中引起竖直拉伸应力以增强载流子迁移率的结构。竖直拉伸应力可以由应力源柱结构所施加的横向压缩应力引起。所述应力源柱结构可以包含应力源材料，诸如介电金属氧化物材料、氮化硅、热氧化硅或晶格常数大于沟道晶格常数的半导体材料。竖直拉伸应力可以由横向围绕所述竖直半导体沟道的导电层所施加的压缩应力引起，或者由从牺牲材料层捕获压缩应力的应力记忆技术引起。竖直拉伸应力可以由防止所述竖直半导体沟道的竖
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111587489 A
(43)申请公布日
2020.08.25
(21)申请号 20198
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