二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法，属于二维材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将铜源、铌源和助熔剂的混合物放置于两片衬底之间，并将所述混合物和衬底放置于反应炉的中心温区，其中中心温区的温度控制在850‑950摄氏度；将硫源放置于反应炉中并位于中心温区的上游区域，距离中心温区18‑20厘米；在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体，所述混合气体将硫蒸汽输送至中心温区，还原性气体和硫蒸汽与中心温区的铜源和铌源反应，并在衬底上沉积，从而获得二维层状插层CuNb2S4

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815305 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310852826.X (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人北京理工大学地址 1000