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本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法，包括：在半导体衬底之上形成多个半导体结构，在多个半导体结构的顶表面和侧壁上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，以及蚀刻虚设栅极堆叠的第一部分以在虚设栅极堆叠中形成贯穿栅极沟槽。虚设栅极堆叠包括位于第一部分的相反侧的第二部分和第三部分。通过贯穿栅极沟槽，多个半导体结构被蚀刻以形成位于贯穿栅极沟槽下方并且连接到贯穿栅极沟槽的沟槽组。沟槽组包括两个最外面的沟槽和位于两个最外面的沟槽之间的至少一个内部沟槽。两个最外面的沟槽比至少一个内部沟槽
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825636 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310583720.4 H01L 29/10 (2006.01)
(22)申请日 2023.05.
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