原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种MicroLED封装结构，包括CMOS结构，发光二极管，用于连接所述CMOS结构和所述发光二极管的锡膏，以及设置在所述发光二极管上表面的透明保护层；所述发光二极管包括P极，间隔设置在所述P极下方的N极，以及设置在所述P极下表面和N极上表面之间的量子阱；所述N极和P极之间形成的空隙处设有一层用于提高所述发光二极管发光效率的绝缘物质。本发明的MicroLED为共P分N的结构，不仅有效的避免共N型结构存在的先Bonding再刻蚀所带来的对CMOS结构的影响；而且有效解决了分离LED
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109065689 A
(43)申请公布日
2018.12.21
(21)申请号 20181
文档评论（0）