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本发明涉及用于对蚀刻工艺进行先进的离子控制的方法和系统。将衬底设置在处理模块内的衬底支架上。所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露。产生暴露于所述衬底的等离子体。在第一持续时间在对应于高偏置电压电平的第一偏置电压设置下在所述衬底支架施加偏置电压。在所述第一持续时间结束后的第二持续时间在对应于低偏置电压电平的第二偏置电压设置下在所述衬底支架施加偏置电压。所述第二偏置电压设置大于0V。以交替和连续的方式重复第一持续时间和第二持续时间持续去除暴露在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109616413 A
(43)申请公布日
2019.04.12
(21)申请号 20181
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