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本发明提供晶片的磨削方法,即使在多个磨削磨具伴随晶片的背面侧的磨削而发生了磨损的情况下,也能够在晶片的背面上形成具有规定的深度且底面与侧面所成的角为钝角的凹部。设定磨削步骤中的磨削磨轮与晶片的沿着第2方向的第2相对速度以便使沿着第1方向的磨削磨轮与晶片的相对移动和沿着第2方向的磨削磨轮与晶片的相对移动同时开始且同时结束。具体而言,该第2相对速度考虑任意设定的参数以及在磨削步骤之前或磨削步骤的中途把握的多个磨削磨具的磨损量(磨削步骤前后的多个磨削磨具的厚度的变化量的绝对值)而设定。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116810574 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310279731.3 B24B 41/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.03.
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