存储器元件及其制造方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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存储器元件及其制造方法.pdf

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本发明公开一种存储器元件及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤。在基底上形成有包括隧穿介电层以及浮置栅极的多个堆叠结构。在基底上形成包括氮化衬层的衬材料层。氮化衬层的顶表面低于浮置栅极的顶表面且高于隧穿介电层的顶表面。在基底上形成覆盖衬材料层的隔离材料层。对隔离材料层进行氧化制作工艺且移除部分的隔离材料层，以形成隔离结构。在基底上形成覆盖多个堆叠结构与隔离结构的栅间介电层。在基底上形成覆盖栅间介电层的控制栅极。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113497046 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 20201