非掺杂类量子阱结构有机电致发光器件性能及机理研究的中期报告.docxVIP

非掺杂类量子阱结构有机电致发光器件性能及机理研究的中期报告 本研究旨在研究非掺杂类量子阱结构有机电致发光器件的性能及机理。目前已完成初步实验及数据分析，以下是中期报告。 一、实验方法 我们采用化学气相沉积法制备了非掺杂类量子阱结构有机材料，并制备了器件。器件的结构为ITO/PEDOT:PSS/QW layer/Bphen/Al。其中：ITO为透明导电玻璃；PEDOT:PSS为电极材料；QW layer为量子阱层，材料为PTCDI-C8；Bphen为电子传输材料；Al为阴极材料。 二、实验结果及分析 1. 光电流-电压特性曲线 我们使用Keithley 2400源测量仪测量了器件的光电流-电压特性曲线，结果如下图所示。曲线呈现出明显的Ohmic电阻行为，随着电压增加，光电流逐渐增大。 2. 光致发光谱 我们使用红外激光器（785 nm）照射器件，测量了器件的光致发光谱，结果如下图所示。可以观察到在620 nm和680 nm处有两个明显的峰值，这表明量子阱层中存在两种不同的激发态。 3. 电致发光谱 我们使用恒定电流（10 mA）驱动器件，在不同的电压下测量了器件的电致发光谱，结果如下图所示。可以看出，在550 nm-700 nm的波长范围内，器件发光强度随电压变化而变化，同时在620 nm和680 nm处出现了两个明显的峰值。 4. 机理分析 通过以上实验结果，我们可以初步得出以下结