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反熔丝结构及可编程存储器.pdfVIP

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  • 2023-10-01 发布于四川
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反熔丝结构及可编程存储器.pdf

    本申请涉及一种反熔丝结构以及包括该反熔丝结构的可编辑存储器。该反熔丝结构包括：第一掺杂区和至少部分形成于第一掺杂区内的第二掺杂区；隔离层，形成于第一掺杂区和部分第二掺杂区上，隔离层具有暴露第二掺杂区的窗口；栅极结构，包括叠设的熔丝介质层和栅导电层，熔丝介质层通过窗口与第二掺杂区接触；第一电极，与栅导电层接触；第二电极，依次穿透栅极结构和隔离层并与第二掺杂区接触，第二电极和栅极结构之间通过隔离垫片电隔离。通过将第二掺杂区设于栅极结构下方并使第二电极贯穿栅极结构以与第二掺杂区接触，可以减小反熔丝结构

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210575939 U (45)授权公告日 2020.05.19 (21)申请号 20192

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