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- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种高压射频PIN管。该种高压射频PIN管包括N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底的上方设有高阻本征层，N型重掺杂衬底的下方设有背面电极金属，高阻本征层的上方设有P型重掺杂层，P型重掺杂层、高阻本征层和部分N型重掺杂衬底形成一个三层的柱形体，N型重掺杂衬底的上方还设有钝化层，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上面开设有通孔，在P型重掺杂层上方设有正面电极金属，正面电极金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种高压射频PIN管能够在较大电压区间工作同时生产成本较低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575966 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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