一种高纯硒靶坯、平面靶及高纯硒靶坯、平面靶制备方法.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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一种高纯硒靶坯、平面靶及高纯硒靶坯、平面靶制备方法.pdf

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本发明属于高纯非金属靶材技术领域，公开了一种高纯硒靶坯、平面靶及高纯硒靶坯、平面靶制备方法；该高纯硒靶坯的制备方法包括如下步骤：将玻璃状的硒块在无氧状态下以10～15℃/min的升温速率升高到210～230℃后保温20～40min得到高纯硒靶坯。本发明提供了一种高纯硒靶坯的制备方法，通过控制升温速度、升温温度和保温时间来精准控制玻璃状硒转化成三方硒的过程，有效提高了高纯硒靶坯的质量，制得的高纯硒靶坯内部气孔少，且高纯硒靶坯全方位导电，不会出现局部不导电的情况发生。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116835537 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310678860.X (22)申请日 2023.06.09 (71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司地址