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一种宽通道霍尔推力器磁路结构及提高磁场强度的方法，所述磁路结构包含内磁极、内铁芯、底板、磁屏、外导磁罩、外磁极、内线圈、外线圈、下线圈、支架和向内导磁罩；外线圈的下方布置有向内导磁罩和下线圈，向内导磁罩径向垂直外导磁罩设置；多个向内导磁罩和多个下线圈交替布置在外线圈的下方，且最上部的向内导磁罩与外线圈相邻，最下部的下线圈与底板相邻，多个下线圈串联设置，磁屏的底部通过支架固定，支架固定在底板上。本发明保证了霍尔推力器磁场的大范围可调节性以及所需的特征磁场强度，同时大范围提高所能实现的放电通道宽度，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116838558 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310884745.8
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 哈尔滨工业大学
地址 15000
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