一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法.pdf

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一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法。器件包括金属、重掺杂第一导电类型衬底及外延层、第二导电类型体区、第一导电类型增强源区和重掺杂第二导电类型体接触区，第一导电类型半导体区，增强源区之下且贯穿体区的第一导电类型半导体层、介质层一、栅电极、介质层二、金属。方法：在重掺杂衬底上制得第一导电类型外延层；在外延层上形成第二导电类型体区；在体区上形成增强源区；在增强源区下方形成第一导电类型半导体层且贯穿体区；在体区上形成体接触区；在体区中形成第一导电类型半导体区；退火激活杂质；器件上表面生长介质

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845110 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310914496.2 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2023.07