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- 2023-10-04 发布于四川
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本发明涉及用于在太阳能电池的正面或正面和背面上具有隧穿氧化物钝化接触件的太阳能电池,优选高温太阳能电池的层结构,其由至少一个隧穿氧化物层,特别是x=1‑2的硅氧化物层SiOx或x=1‑2的铝氧化物层AlOx,以及x50.5,优选≥0.5至0.9的μc‑SiCx(n)层组成,其中(n)=n掺杂,并且其中μc‑SiCx(n)在一个有利实施方案中是氢化μc‑SiCx:H(n)层。根据本发明的层结构可以优选被设计为太阳能电池,优选高温太阳能电池的正面接触件。本发明还涉及制造该层结构的方法以及包含根据本发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116848645 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202180092347.1 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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