用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置.pdf

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本发明提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法和低压氧化处理装置。所述低压氧化处理方法包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；使所述半导体工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半导体工件的表面形成氧化物膜。本发明的方法利用在低压下由包括氢气和氧气的工艺气体形成的氧自由基与半导体工件表面反应，以形成氧化物膜，使得氧化物膜层的均匀度更高，缺陷更少，氧化深度更易控制。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116844939 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310826140.3 (22)申请日 2023.07.06 (71)申请人北京屹唐半导体科技股份有限公司地