二维FeNi3@MXene纳米结构电磁波低频吸收材料及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.51万字
约 12页
2023-10-04 发布于四川
举报
版权申诉

二维FeNi3@MXene纳米结构电磁波低频吸收材料及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明属于电磁波低频吸收材料制备技术领域，涉及一种二维FeNi3@MXene纳米结构电磁波低频吸收材料及其制备方法，采用去除Ti3AlC2前驱体的中间层Al的方法制备了MXene纳米片，然后在常温的条件下与FeNi3合金颗粒复合构筑多层复合电磁波吸收材料；该电磁波吸收材料的电磁性质可由MXene的复合比例调控。二维多层复合材料中具有丰富的界面，可允许入射电磁波在纳米片之间多重反射和散射，使入射电磁波更加有效地耗散，同时界面极化效应明显，可以使更多的电磁波被衰减，有助于提高介电损耗。并且该复合结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116847644 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310841670.5 (22)申请日 2023.07.11 (71)申请人杭州电子科技大学地址