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一种半导体测试结构以及测试方法.pdfVIP

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  • 2023-10-04 发布于四川
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一种半导体测试结构以及测试方法.pdf

    本公开实施例公开了一种半导体测试结构以及测试方法，其中，所述半导体测试结构，包括：衬底，所述衬底包括若干芯片区和所述芯片区之间的测试区；测试单元，位于所述测试区上；所述测试单元包括测试晶体管结构；所述测试晶体管结构包括不规则的栅极结构和源漏端；第一测试垫和第二测试垫；其中，所述测试晶体管结构的不规则的栅极结构与所述第一测试垫电连接，所述测试晶体管结构的源漏端与所述第二测试垫电连接，以对所述测试晶体管结构的不规则的栅极结构进行测试。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845053 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210305379.1 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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