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本发明公开了一种功率半导体模块低电感封装方法，所述封装方法如下：步骤一：获取待封装功率半导体模块低电感的参数信息；步骤二：根据待封装功率半导体模块低电感的参数信息，确定待封装功率半导体模块低电感的封装模拟方案；步骤三：对封装模拟方案进行验证、调整；本发明的有益效果是：基于验证后的封装模拟方案，用焊锡将线圈与焊片或连接器连接，将钎焊好的整体装入壳体，然后进行焊接以完成封装，在对待封装的功率半导体模块低电感进行封装之前，验证模拟方案满足封装要求的情况下，再进行正式封装，可以降低封装风险；线圈安装时，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116844971 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310831642.5
(22)申请日 2023.07.07
(71)申请人 肖丽
地址 620037 四川
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