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本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；P‑GaN双终端层，设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域；P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端，第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域，第二区域为除第一区域以外的区域；第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到；阴电极，设置于势垒层上的阴极位置区域；阳电极，设置于势垒层上的阳极位置区域，并与第一终端
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116845111 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310822885.2
(22)申请日 2023.07.05
(71)申请人 西安电子科技大学
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