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本发明公开了一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法，包括以下步骤：a.液态无水氟化氢原料经预热气化，气化后氟化氢依次经过一级氟化钠吸附柱、二级氟化钠吸附柱，使部分氟化钠转化为氟化氢钠，未吸附的尾气则通过氢氧化钠碱液进行吸收；b.将氟化钠吸附柱进行一段升温脱附游离水分以及四氟化硅气体，并保温1h；脱附的气体进入尾气吸收；c.将氟化钠吸附柱继续升温进行二段脱附氟化氢，并保温1h，使氟化氢钠分解成氟化氢高温气体；d.将步骤c氟化氢高温气体用超纯水进行吸收调配成氢氟酸粗品，再经膜过滤即得半导体用电子级氢氟酸
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116835532 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310837493.3
(22)申请日 2023.07.07
(71)申请人 宜昌晶能富新材料有限公司
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