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- 2023-10-04 发布于四川
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本公开实施例提供了一种控制电路以及半导体存储器，该控制电路包括偏置切换电路和第一逻辑门电路；其中，第一逻辑门电路，由至少一个目标晶体管构成，目标晶体管的衬底与偏置切换电路的输出端连接，第一逻辑门电路具有第一速度模式和第二速度模式，第一速度模式的传输速度低于第二速度模式的传输速度；偏置切换电路，用于接收目标信号，若目标信号处于使能状态，则输出目标偏置电压，以增大目标晶体管的阈值电压，目标信号的使能状态表征第一逻辑门电路处于第一速度模式。这样，在保证半导体性能满足需求的情况下，该控制电路可以降低源极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116844602 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202210307197.8
(22)申请日 2022.03.25
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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