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本实用新型公开了一种半导电层及绝缘结构，半导电层包括：半导电层主体；包覆于半导电层主体内的导电薄膜层，其中，半导电层主体上设置有与导电薄膜层导通的等电位连接点，等电位连接点能够与待连接导体导通。由于在半导电层主体内设置了导电薄膜层，且导电薄膜层与半导电层主体上的等电位连接点导通，等电位连接点与待连接导体导通，因此，半导电层主体能够通过导电薄膜层实现与待连接导体等电位，即本实用新型利用导体等电位解决了半导电层电位不一致的问题，提高了半导电层的等电位效果，进而降低绝缘风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210606823 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
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