原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型提出一种超低功率半导体功率器件，其在半导体基板的N型外延层上表面开有三个沟槽，沟槽内填满场氧化层，场氧化层内填充导电多晶硅，第一沟槽上半部分内壁及其外围、第二、第三沟槽上方及其外围覆盖栅氧化层，第一沟槽的栅氧化层内填满栅极多晶硅，栅氧化层上方覆盖氧化层，第一沟槽外围的氧化层上方覆盖源极金属至第一源极孔内，第一沟槽上方覆盖栅极金属至栅极孔内，第二沟槽上方覆盖源极金属至第二源极孔内，N型衬底下表面覆盖背面电极。本实用新型采用4层光罩层数，相比现有的6‑7层的光罩技术，减少了光罩层数，在保证
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210607261 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
文档评论（0）