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- 2023-10-09 发布于四川
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本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，该装置包括晶体生长装置与恒温冷壁炉，所述晶体生长装置设置在恒温冷壁炉内；通过对恒温冷壁炉温度与炉内压力的控制实现晶体生长特定温度场；采用恒温冷壁炉避免环境对晶体生长温场的影响后晶体单晶率获得提升，由60%提升到75%；采用恒温冷壁炉通过对炉内压力的控制避免了石英管的胀管与缩管等现象，实际砷压与设定砷压一直，晶体纵向均匀行得到提升；通过对降温程序的调控，退火周期由原来的140h缩短到116h。缩短了晶体生长周期，提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210620996 U
(45)授权公告日
2020.05.26
(21)申请号 20192
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