ZnO基磁性半导体外延生长、磁性、输运和光致发光谱研究的中期报告.docxVIP

ZnO基磁性半导体外延生长、磁性、输运和光致发光谱研究的中期报告 该研究的中期报告基于对ZnO基磁性半导体外延生长、磁性、输运和光致发光谱的研究。以下是该研究的摘要和进展： 研究介绍： ZnO在近年来成为了磁性半导体研究中的热点。ZnO基磁性半导体有良好的电学性质和磁性，适合应用于磁信息存储和电子器件制造中。本研究旨在通过外延生长的方法制备高质量的ZnO基磁性半导体，并对其磁性、输运和光致发光谱进行探究。 研究进展： 1. ZnO基磁性半导体的生长 通过分子束外延法制备了ZnO基磁性半导体异质结膜并进一步研究了它们的结构和光学性质。在优化生长条件后，得到了高质量的样品，且具有较强的磁性。 2. 磁性和输运 通过磁矢自旋电子显微镜（MFM）和霍尔效应测量，证明了样品具有磁性和电学性质。进一步的磁性研究表明，ZnO基磁性半导体样品的磁性源于二价离子缺陷和氧化物形成。 3. 光致发光谱 通过光致发光谱研究，发现ZnO基磁性半导体样品在紫外区域有较强的发光强度。这表明样品具有优良的光学性质，也为进一步探究其光学性质提供了基础。 结论： 本研究对ZnO基磁性半导体的外延生长、磁性、输运和光致发光谱进行了系统研究。结果表明，ZnO基磁性半导体具有优良的物理、电学和光学性质，可以作为磁信息存储和电子器件制造中的有用材料。未来我们将继续深入研究该材料的性质和应用。