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一、填空题： 第一章半导体二极管 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体， 半导体 和绝缘体三类。 Δ 2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。 3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ 4、PN 结正偏时，P 区接电源的 正极，N 极接电源的负极。 5、PN 结具有 单向导电 特性。 6、二极管的P 区引出端叫 正极 或阳极，N 区的引出端叫负极或阴极。 Δ 7、按二极管所用的材料不同，可分为 硅二极管 和锗二极管两类； 8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管 、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是 二极管正极接电源的正极 ，负极接电源的负极；反响接法相反。 10、硅二极管导通时的正向管压降约 0.7V ，锗二极管导通时的管压降约 0.3V。 Δ 11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流 ，最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为 光信号 。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压 来自动调节本机震荡频率。 ★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为 零。 第二章半导体三极管及其放大电路 15、三极管是 电流 控制元件。 16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 变大，发射结压降 变小 。 Δ 18、 三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 ★19、三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 Δ 20、 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 . Δ 21、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从 12μ A 增大到 22μ A 时，I C 从 1mA 变为 2mA，那么它的β 约为 100 。 22、三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、放大区 和 截 止区 。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 交越 ）失真， 而采用（ 甲乙类 ）类互补功率放大器。 ★25、OCL 电路是（ 双 ）电源互补功率放大电路； ★26、OTL 电路是（ 单 ）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章 集成运算放大器及其应用 28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为 共模信号 。. Δ 29、差分放大电路能够抑制 零点 漂移。 Δ 30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在 线性放大 区。 31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入 串联 负反馈。 Δ 32、稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极 －基极偏置电路 。 ★33、共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很小。 ★34、放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。 Δ 35. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； ★36. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用； ★37. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用； ★38. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较小。 ★39. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小 。 第五章 直流稳压电源 40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。 41、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。 ★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。 Δ 43、在稳压管稳压电路中，利用稳压管的 反向击穿 特性，实现稳压； ★ 44、整流二级管和整流堆统称为整流器件。 第六章晶闸管及应用电路 45、晶闸管 是一种电力半导体器件。 Δ 46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。 ★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力差。第七章 门电路逻辑及组合逻辑电路 48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。 49、门电路又称为逻辑门电路。 Δ 50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。 二、选择题 第一章半导体二极管 Δ 1、当加在硅二极管两端的正向电压从 0 开始逐渐增加时，硅二极管(C) A、立即导通 B、到 0.3V 才开始导通 C.、超过死区电压时才开始导通 Δ 2、把电动势为 1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（A） A、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏 Δ 3、当硅二极管加上 0.4V 正向电压时，该二极管相当于（B） A.很