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本发明公开了一种基于直拉法单晶硅的提渣方法，在制备单晶硅的熔料完成后操作提渣方法，依次包括以下步骤：步骤一：拉制一段单晶硅晶体，使单晶硅晶体脱离熔硅液面；步骤二：提高单晶炉的加热功率；步骤三：回熔单晶硅晶体的底端；步骤四：提渣及清除杂质；步骤五：清除杂质完成后，依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序，得到拉制成型的单晶硅棒。使首次投料的引放次数有效的降低到平均1.5‑1.8次，首投更快的拉出后，对后面的循环段更有效，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116856047 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310877372.1
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 乐山市京运通新材料科技有限公司
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