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2023-10-11 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、第一焊料层、金属阻绝层以及第二焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；第一焊料层设置于凸块远离金属焊盘的一侧；金属阻绝层设置于第一焊料层远离凸块的一侧，金属阻绝层具有相隔离的第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽的槽口朝向远离第一焊料层的方向，第一焊料层设置于第二容纳槽内；第二焊料层设置于第一容纳槽内，且第二焊料层的部分凸出第一容纳槽的槽口。由于第一焊料层和第二焊料层具有回流高温熔融可伸缩的特

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210640233 U (45)授权公告日 2020.05.29 (21)申请号 20192