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本发明提供一种电荷捕获型非易失存储器的源漏极离子注入方法，提供衬底，在衬底上形成有自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层、第一多晶硅层、第三氧化层、硬掩膜层；在第一栅极的侧壁形成第一侧墙，去除剩余的第一光刻胶层，之后刻蚀去除裸露的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，之后在衬底上形成栅氧化层；形成覆盖第一栅极的阵列结构的第二多晶硅层，之后刻蚀第二多晶硅层在第一栅极的两侧形成第二侧墙，从而形成第二栅极的阵列结构，使得两相邻的第二多晶硅层之间的有源区被第二侧墙所覆盖。本发明有效地降低了非易失存储
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116867279 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310768754.0
(22)申请日 2023.06.27
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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