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本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层；所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层；所述高纯度碳化硅绝缘薄层中，碳硅摩尔比为0.8‑2，厚度为0.1‑10mm；所述含碳高导电薄层中，碳硅摩尔比为2‑15，厚度为0.05‑3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116854477 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310813682.7
(22)申请日 2023.07.04
(71)申请人 北京亦盛精密半导体有限公司
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