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半导体装置包括第1导电体(25a)、第2导电体(25b)及第1绝缘体(DP)。第1导电体包括在第1方向上延伸的第1部分(HL)和包括从第1部分的端部在与第1方向交叉的第2方向上延伸的部分的第1焊盘部(PP1‑L)。第2导电体包括在第1方向上延伸的第2部分(HL)、从第2部分的端部在第2方向上延伸的第3部分(VL)及包括从第3部分的端部在第1方向上延伸的部分的第2焊盘部(PP2‑L)。第1绝缘体在第1方向上与第2焊盘部相邻。第1焊盘部包括在第1方向上相互相邻的第1及第2子部分，第1及第2子部分各自
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116867282 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202210854398.X H10B 43/50 (2023.01)
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